硬件工程师面试题(7)
来源:未知 责任编辑:责任编辑 发表时间:2014-05-20 18:25 点击:次
1.)代码输入(design input)
用vhdl或者是verilog语言来完成器件的功能描述,生成hdl代码
语言输入工具:SUMMIT VISUALHDL
MENTOR RENIOR
图形输入: composer(cadence);
viewlogic (viewdraw)
2.)电路仿真(circuit simulation)
将vhd代码进行先前逻辑仿真,验证功能描述是否正确
数字电路仿真工具:
Verolog: CADENCE Verolig-XL
SYNOPSYS VCS
MENTOR Modle-sim
VHDL : CADENCE NC-vhdl
SYNOPSYS VSS
MENTOR Modle-sim
模拟电路仿真工具:
***ANTI HSpice pspice,spectre micro microwave: eesoft : hp
3.)逻辑综合(synthesis tools)
逻辑综合工具可以将设计思想vhd代码转化成对应一定工艺手段的门级电路;将初级仿真 中所没有考虑的门沿(gates delay)反标到生成的门级网表中,返回电路仿真阶段进行再 仿真。最终仿真结果生成的网表称为物理网表。
12、请简述一下设计后端的整个流程?(仕兰微面试题目)
13、是否接触过自动布局布线?请说出一两种工具软件。自动布局布线需要哪些基本元 素?(仕兰微面试题目)
14、描述你对集成电路工艺的认识。(仕兰微面试题目)
15、列举几种集成电路典型工艺。工艺上常提到0.25,0.18指的是什么?(仕兰微面试题 目)
16、请描述一下国内的工艺现状。(仕兰微面试题目)
17、半导体工艺中,掺杂有哪几种方式?(仕兰微面试题目)
18、描述CMOS电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果?(仕兰微面试题目)
19、解释latch-up现象和Antenna effect和其预防措施.(未知)
20、什么叫Latchup?(科广试题)
21、什么叫窄沟效应? (科广试题)
22、什么是NMOS、PMOS、CMOS?什么是增强型、耗尽型?什么是PNP、NPN?他们有什么差别?(仕兰微面试题目)
23、硅栅COMS工艺中N阱中做的是P管还是N管,N阱的阱电位的连接有什么要求?(仕兰微面试题目)
24、画出CMOS晶体管的CROSS-OVER图(应该是纵剖面图),给出所有可能的传输特性和转移特性。(Infineon笔试试题)
25、以interver为例,写出N阱CMOS的process流程,并画出剖面图。(科广试题)
26、Please explain how we describe the resistance in semiconductor. Compare the resistance of a metal,poly and diffusion in tranditional CMOS process.(威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09)
27、说明mos一半工作在什么区。(凹凸的题目和面试)
28、画p-bulk 的nmos截面图。(凹凸的题目和面试)
29、写schematic note(?), 越多越好。(凹凸的题目和面试)
30、寄生效应在ic设计中怎样加以克服和利用。(未知)
31、太底层的MOS管物理特***觉一般不大会作为笔试面试题,因为全是微电子物理,公式推导太罗索,除非面试出题的是个老学究。IC设计的话需要熟悉的软件: Cadence, Synopsys, Avant,UNIX当然也要大概会操作。
32、unix 命令cp -r, rm,uname。(扬智电子笔试)
单片机、MCU、计算机原理
1、简单描述一个单片机系统的主要组成模块,并说明各模块之间的数据流流向和控制流
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